| 发明名称 | 薄膜晶体管的制造方法 | ||
| 摘要 | 本发明公开了一种薄膜晶体管的制造方法，包括下列步骤：首先，提供一基板，并无电镀一栅极层于基板上。其后，图形化栅极层以形成一栅极，并电镀一金属层于栅极上。阳极氧化金属层以形成一栅极介电层，其后以一化学沉积法形成一半导体层于栅极介电层及基板上。 | ||
| 申请公布号 | CN1558447A | 申请公布日期 | 2004.12.29 |
| 申请号 | CN200410001884.9 | 申请日期 | 2004.01.15 |
| 申请人 | 友达光电股份有限公司 | 发明人 | 甘丰源;林汉涂 |
| 分类号 | H01L21/336;H01L29/786 | 主分类号 | H01L21/336 |
| 代理机构 | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人 | 李晓舒;魏晓刚 |
| 主权项 | 1.一种薄膜晶体管的制造方法，包括下列步骤：提供一基板；以一第一湿式沉积法形成一栅极层于该基板上；图形化该栅极层以形成一栅极；以一第二湿式沉积法形成一金属层于该栅极上；氧化该金属层以形成一栅极介电层；以及以一化学沉积法形成一半导体层于该栅极介电层及该基板上。 | ||
| 地址 | 台湾省新竹市 | ||