发明名称 介质陶瓷和电子元件
摘要 提供了介质陶瓷和能提高在负载下高温绝缘电阻的耐久性,即IR退化寿命的电子元件。一种介电层包括含BaTiO<SUB>3</SUB>为主要成分的介质陶瓷;及含下列四种辅助成分:Mg、Ca、Ba、Sr和Cr之中至少一种元素;SiO<SUB>2</SUB>;V、Mo和W中至少一种元素;及Er、Tm、Yb、Y、Dy和Ho中至少一种元素。优选在介质陶瓷中具有空隙的晶粒的存在率为10%或更低,平均晶粒直径大于0.1μm但≤0.7μm。改善IR退化寿命。优选使用草酸盐法或固相法合成的BaTiO<SUB>3</SUB>粉末作为原料,该BaTiO<SUB>3</SUB>粉末具有Ba/Ti比例大于1而小于1.007。
申请公布号 CN1181499C 申请公布日期 2004.12.22
申请号 CN01119797.8 申请日期 2001.05.29
申请人 TDK株式会社 发明人 佐藤茂树;寺田佳弘;藤川佳则
分类号 H01B3/12;C04B35/468;H01G4/12;H01G4/30 主分类号 H01B3/12
代理机构 中国专利代理(香港)有限公司 代理人 卢新华;周慧敏
主权项 1.介质陶瓷,它包含:起主要成分作用的钛酸钡;第一种辅助成分,它含有镁、钙、钡、锶和铬之中的至少一种元素;第二种辅助成分,它含有二氧化硅;第三种辅助成分,它含有钒、钼和钨之中的至少一种元素;及第四种辅助成分,它含有铒、铥、镱、钇、镝和钬之中的至少一种元素;其中具有空隙的晶体颗粒的存在率,依据计数比率为10%或更低。
地址 日本东京都