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发明名称 METHOD FOR PRODUCING AN SOI FIELD EFFECT TRANSISTOR AND CORRESPONDING FIELD EFFECT TRANSISTOR
摘要
申请公布号 EP1488464(A1) 申请公布日期 2004.12.22
申请号 EP20030717160 申请日期 2003.03.20
申请人 INFINEON TECHNOLOGIES AG 发明人 GOETTSCHE, RALF;PACHA, CHRISTIAN;SCHULZ, THOMAS;STEINHOEGL, WERNER
分类号 H01L27/08;H01L21/28;H01L21/336;H01L21/8234;H01L27/088;H01L29/78;H01L29/786;(IPC1-7):H01L29/786;H01L27/12 主分类号 H01L27/08
代理机构 代理人
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