非易失性半导体存储装置

摘要

一种非易失性半导体存储装置，是将强电介质电容器用于控制场效应型晶体管栅电位的非易失性半导体存储装置。在硅衬底10上形成源极区域11以及漏极区域12，在硅衬底10的源极区域11和漏极区域12之间的区域上侧形成硅氧化膜14，在该硅氧化膜14上形成强电介质膜15，在该强电介质膜15上形成栅电极16。强电介质膜以及硅衬底为第1导电型；源极区域以及漏极区域为第2导电型。在强电介质膜上不易产生伴随泄漏电流的电荷损失，能长期保存数据。

主权项

1.一种非易失性半导体存储装置，包括：形成在硅衬底上的源极区域以及漏极区域，形成在所述硅衬底的所述源极区域和所述漏极区域之间的区域上侧的电介质膜，直接形成在所述电介质膜上的强电介质膜，形成在所述强电介质膜上的栅电极；其特征在于：所述强电介质膜的导电型以及所述硅衬底的导电型都是p型，同时所述源极区域以及所述漏极区域的导电型是n型。