| 发明名称 | 带有写禁止选择的磁存储器及其写入方法 | ||
| 摘要 | 本发明涉及一种带有写禁止选择的磁存储器及其写入方法。本发明的每一个磁存储器单元包括如下组成的磁隧道结(70)：已知为受限制层(71)的磁性层，具有硬磁化；已知为自由层(73)的磁性层，其磁化可以被翻转；以及设置在自由层(73)和受限制层(71)之间并且与所述两层接触的绝缘层(72)。自由层(73)由基于稀土和过渡金属的非晶或纳米晶合金制成，所述合金的磁有序是亚铁磁性类型。本发明的存储器的选定工作温度接近于合金的补偿温度。 | ||
| 申请公布号 | CN1556997A | 申请公布日期 | 2004.12.22 |
| 申请号 | CN02818361.4 | 申请日期 | 2002.09.19 |
| 申请人 | 国家科研中心 | 发明人 | 让－皮埃尔·诺兹莱斯;劳伦特·兰诺;耶恩·康劳克斯 |
| 分类号 | G11C11/16;H01F10/32 | 主分类号 | G11C11/16 |
| 代理机构 | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人 | 王永刚 |
| 主权项 | 1.一种其中各个存储器点由磁隧道结(70)形成的磁存储器，包括：·具有硬磁化的所谓的被锁定磁性层(71)，·具有可以翻转的磁化的所谓的自由磁性层(73)，·插入在所述自由层(73)和所述被锁定层(71)之间并与这两层分别接触的绝缘层(72)，特征在于：所述自由层(73)由基于稀土和过渡金属的非晶或纳米晶合金制成，所述合金的磁有序是亚铁磁性类型，并且所述存储器的工作温度被选在接近所述合金的补偿温度。 | ||
| 地址 | 法国巴黎 | ||