发明名称 含有聚集染料的辐射敏感材料和照相材料
摘要 本发明公开一种含有式(I)的聚集染料的辐射敏感材料和照相材料,其中X、R<SUP>1</SUP>-R<SUP>4</SUP>、L<SUP>1</SUP>、L<SUP>2</SUP>、L<SUP>3</SUP>、M<SUP>+</SUP>、n如说明书中所定义,其中聚集染料具有小于55nm的吸收半谱带宽度。∴
申请公布号 CN1181394C 申请公布日期 2004.12.22
申请号 CN00130907.2 申请日期 1996.11.30
申请人 伊斯曼柯达公司 发明人 M·J·赫尔伯;W·J·哈里逊;E·-A·加洛;M·C·布力克;S·W·科图姆;G·N·巴伯
分类号 G03C1/83 主分类号 G03C1/83
代理机构 中国专利代理(香港)有限公司 代理人 钟守期
主权项 1.一种辐射敏感材料,其特征在于它含有下式(I)的聚集染料:<img file="C001309070002C1.GIF" wi="848" he="447" />其中X是氧或硫;R<sup>1</sup>-R<sup>4</sup>各自独立地代表未取代或取代的烷基、未取代或取代的芳基或未取代或取代的杂芳基,其中所述烷基为含有1-6个碳原子的烷基,芳基包括苯基、萘基、蒽基和苯乙烯基,杂芳基包括吡啶基、噻吩基、呋喃基和吡咯基,而酰基包括乙氧基甲酰基、酰氨基、苯甲酰基、羧基和乙酰基;L<sup>1</sup>、L<sup>2</sup>和L<sup>3</sup>各自独立的代表取代或未取代的次甲基;M<sup>+</sup>代表质子或无机或有机阳离子;n是0、1、2或3,其中聚集染料具有小于55nm的吸收半谱带宽度。
地址 美国纽约州