| 主权项 |
1.一种利用载子重分布调变发光波长之二极不同宽度多层半导体量子井雷射,包括:一半导体基板;以及不同宽度之多层量子井,其系制作于该半导体基板上,载子在该多层量子井之分布,可以依据外面环境的改变而重新调整,以控制该多层量子井内二维载子分布的优势载子为电子或电洞,进而决定该不同宽度量子井之半导体雷射波长。2.如申请专利范围第1项所述之二极不同宽度多层半导体量子井雷射,其中,该不同宽度之多层量子井系具有至少两种多层量子井的组合。3.如申请专利范围第1项所述之二极不同宽度多层半导体量子井雷射,其中,该优势载子系由分离局限异质结构之长度与材料组成以及该量子井宽度与材料所决定。4.如申请专利范围第1项所述之二极不同宽度多层半导体量子井雷射,其中,该半导体雷射波长之切换可藉由设计不同宽度或不同井底与位障之量子井,使其基态能阶所对应之转换波长不同。5.如申请专利范围第1项所述之二极不同宽度多层半导体量子井雷射,其中,该半导体基板之材质系选自三五族之化学元素。6.如申请专利范围第1项所述之二极不同宽度多层半导体量子井雷射,其中,该半导体雷射之结构可为脊状波导雷射,波长的选择可藉由结合半导体光栅之分布回授式雷射或布拉格反射式雷射,且该光栅之周期应配合该量子井结构之波长以及波长调变的范围。7.如申请专利范围第1项所述之二极不同宽度多层半导体量子井雷射,其中,发光波长较短的量子井数目较发光波长较长的量子井数目为多。8.如申请专利范围第4项所述之二极不同宽度多层半导体量子井雷射,其中,发光波长较短的量子井数目较发光波长较长的量子井数目为多。9.如申请专利范围第1项所述之二极不同宽度多层半导体量子井雷射,其中,使该载子重新分布之环境变化系可选自改变温度、电压、电流、机械应力、磁场及照光强度等的至少其中之一,以藉此切换该半导体雷射波长。图式简单说明:第一图为本发明之不同宽度多层量子井之磊晶结构示意图。第二图系为本发明两组多层量子井内之载子浓度对峰値增益关系图。第三图系为本发明之长度为500奈米的脊状波导雷射临界电流对温度变化关系图。第四图系本发明之半导体雷射的外部量子效率对温度变化关系图。第五图系本发明之半导体雷射的雷射波长对温度变化关系图。第六图系本发明之半导体雷射的两种雷射波长(1417nm与1370nm),在温度变化时两波长之发光功率占总雷射发光功率之比値。 |
