| 主权项 |
1.一种半导体元件,包含:一基板;一N型欧姆接触电极,设置于该基板上;一磊晶结构,设置于该基板相对于该N型欧姆接触电极之另一侧表面,其中该磊晶结构包含复数层磊晶层及一P型接触层;以及一P型欧姆接触电极,包含:一第一镍层,设置于该磊晶结构上;一第一铂层,设置于该第一镍层上;及一第一金层,设置于该第一铂层上。2.如申请专利范围第1项之半导体元件,其中该第一镍层之厚度系介于10至10000埃之间。3.如申请专利范围第1项之半导体元件,其中该第一铂层之厚度系介于10至10000埃之间。4.如申请专利范围第1项之半导体元件,其中该第一金层之厚度系介于10至10000埃之间。5.如申请专利范围第1项之半导体元件,其中该P型欧姆接触电极另包含:一第二镍层,设置于该第一金层上;以及一第二金属,设置于该第二镍层上。6.如申请专利范围第1项之半导体元件,其中该P型欧姆接触电极另包含:一钛层,设置于该第一金属上;一第二铂层,设置于该钛层上;以及一第二金层,设置于该第二铂层上。7.如申请专利范围第1项之半导体元件,其中该P型欧姆接触电极另包含:一第二镍层,设置于该第一金层上;一第二铂层,设置于该第二镍层上;以及一第二金层,设置于该第二铂层上8.如申请专利范围第1项之半导体元件,其中该P型欧姆接触电极另包含:一铬镍合金层,设置于该第一金层上;以及一第二金层,设置于该铬镍合金层上。9.如申请专利范围第1项之半导体元件,其中该P型欧姆接触电极另包含:一铬层,设置于该第一金层上;以及一第二金层,设置于该铬层上10.一种半导体元件之制备方法,包含:形成一磊晶结构于一基板之第一表面,该磊晶结构包含复数层磊晶层及一P型接触层;形成一P型欧姆接触电极于该磊晶结构上,其中该P型欧姆接触电极包含一第一镍层、一第一铂层及一第一金层;以及进行一回火制程,该回火制程之温度小于330℃。11.如申请专利范围第10项之半导体元件之制备方法,其中该回火制程之温度大于220℃。12.如申请专利范围第10项之半导体元件之制备方法,其中形成该P型欧姆接触电极包含:形成一光阻层于该磊晶结构上,其中该光阻层包含一开口;沈积该第一镍层于该开口中之磊晶结构上及该光阻层上;沈积该第一铂层于该第一镍层上;沈积该第一金层于该第一铂层上;以及去除该光阻层及该光阻层上方之第一镍层、第一铂层及第一金层。13.如申请专利范围第10项之半导体元件之制备方法,其中在进行该回火制程之前,另包含形成一N型欧姆接触电极于该基板相对于磊晶结构另一侧表面之步骤。图式简单说明:图1系习知发光元件之剖示图;图2系另一习知发光元件之剖示图;图3显示图2之P型欧姆接触电极以400℃之回火制程60秒后之表面形貌;图4系另一习知发光元件之剖面示意图;图5显示图4之发光元件之输入电流/输出功率曲线;图6系本发明第一实施例之发光元件之剖示图;图7系本发明发光元件之制备方法示意图;图8显示本发明发光元件之输出功率/输入电流与回火制程之温度关系;图9系本发明发光元件之P型欧姆接触电极以300℃之回火制程60秒后之表面形貌;图10显示本发明与习知技艺之发光元件之输入电流/输出功率曲线;图11系本发明第二实施例之发光元件之剖示图;及图12系本发明第三实施例之发光元件之剖示图。 |
