| 摘要 |
<P>La présente invention concerne une mémoire en circuit intégré comprenant une mémoire centrale (FMEM2) de type Flash comprenant des cellules mémoire formant des pages (Pi), une mémoire tampon (BMEM2) pouvant stocker des mots binaires, et un séquenceur (SEQ2) pour exécuter une instruction d'enregistrement, dans une page cible (Pi) de la mémoire Flash, d'une suite de mots externes reçue sur une borne d'entrée de la mémoire. Selon l'invention, le séquenceur est agencé pour, après avoir enregistré dans la mémoire tampon la suite de mots externes, enregistrer dans la mémoire tampon des mots internes présents dans la page cible et correspondant, en raison de leur adresse dans la page, à des emplacements de mots dans la mémoire tampon n'ayant pas reçu de mots externes, puis effacer la page cible (Pi) et enregistrer dans la page effacée les mots présents dans la mémoire tampon.</P>
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