| 摘要 |
本发明之内容系一矽绝缘体晶圆，该晶圆包括：一由矽制之基片、一导热度至少为1.6瓦／(绝对温度公尺)之电绝缘层)、一厚度为10奈米至10微米之单晶矽层，其与平均层厚度之标准偏差至多为5％及缺陷密度至多为0.5HF缺陷／平方公分。本发明之另一内容系一种用以制造此类矽绝缘体晶圆之方法，其中由矽制之基片晶圆系经由先前所敷电绝缘材料层与一施体晶圆相连接。该施体晶圆所载单晶矽施体层，其空位浓度至多为10^12个／立方公分及空位聚块浓度至多为10^5个／立方公分。该等晶圆经连接后，施体晶圆之厚度系以适当方式予以减低，俾自施体层形成一具有本发明性能之单晶矽层，该单晶矽层经由电绝缘材料层与基片晶圆相连接。 |
