| 摘要 |
依据本发明之方法的实施例提供一平坦化表面于一半导体装置与一围绕钝化材料的部分之间。这些方法涉及使用一硬遮罩，其界定平坦化表面为介于硬遮罩与钝化层及装置两者之间的介面，在一钝化层蚀刻制程之后。所得的平坦化表面具有微小至零步阶高度、对于钝化层非均匀度及蚀刻非均匀度不敏感、提供装置侧壁之完全钝化、提供针对蚀刻引发损害之装置保护、及避免钝化层真空之不利影响。这些方法可应用于电子及光子系统之半导体装置制造，诸如(但不限定于)行动电话、网路系统、高亮度(HB)发光二极体(LEDs)、雷射二极体(LDs)、及多重接面太阳能电池。 |
