发明名称 高分子化合物,光阻材料及图型之形成方法
摘要 本发明系关于含有:含矽之重复单元与,具有下述式(1)所示取代基之重复单元之高分子化合物。093102026-p01.bmp(A^1系选自喃二基,四氢喃二基或氧降烷二基之二价基。R^1,R^2为各自独立之碳原子数1~10之直链状,支链状或环状之一价烃基。或,R^1,R^2为互相键结,与该等键结之碳原子一起可形成脂肪族烃环。R^3为可含氢原子或杂原子之碳原子数1~10之直链状,支链状或环状之一价烃基。)本发明之效果系光阻材料,可感应高能量线,在300nm以下之波长中感度,解像性,氧等离子蚀刻耐性优异。093102026-p01.bmp
申请公布号 TW200428146 申请公布日期 2004.12.16
申请号 TW093102026 申请日期 2004.01.29
申请人 信越化学工业股份有限公司 发明人 山润;武田隆信;渡边修
分类号 G03F7/039 主分类号 G03F7/039
代理机构 代理人 林志刚
主权项
地址 日本