发明名称 纳米磁性网络结构薄膜的制作方法
摘要 本发明公开了一种纳米磁性网络结构薄膜的制作方法。1)把99.99%的铝箔退火;2)退过火的铝箔在草酸中一次氧化;3)清洗;4)二次氧化;5)除去未被氧化的铝;6)清洗;7)沉积铁、镍;8退火。本发明的优点是:1)制备简单,费用低廉;2)纳米孔道氧化铝模板的制备技术成熟。早在上个世纪60年代末,70年代初的时候氧化铝模板的制备研究已经开始,到现在,人们已经可以制备出孔道排列的更加有序的模板;3)沉积铁、镍容易。使用磁控溅射法很容易把铁或镍以原子、分子状态溅射下来,均匀沉积到氧化铝模板上;4)应用前景广泛。纳米磁性网络结构薄膜比平面磁性薄膜在高密度光和磁信息贮存方面具有更加广泛的应用前景。
申请公布号 CN1555072A 申请公布日期 2004.12.15
申请号 CN200310122815.9 申请日期 2003.12.21
申请人 浙江大学 发明人 沙健;勇本收;杨德仁;张年生;牛俊杰
分类号 H01F41/14;H01F41/18;H01F41/22 主分类号 H01F41/14
代理机构 杭州求是专利事务所有限公司 代理人 张法高
主权项 1.一种纳米磁性网络结构薄膜的制作方法,其方法步骤如下:1)把99.99%的铝箔退火:把铝箔剪成直径1-2cm的圆片,然后在400-600℃下退火3-5小时;2)退过火的铝箔在草酸中一次氧化:草酸浓度为0.3ml,氧化时间为3-4小时;3)清洗:放到6wt%H3PO4+1.8wt%H2CrO4中浸泡5--7小时,去掉一次氧化残留物;4)二次氧化:草酸浓度为0.3ml,氧化时间为9-11小时;5)除去未被氧化的铝:用CuCl2溶液除去背面未被氧化的铝;6)清洗:放到磷酸中浸泡80-100min,取出后用去离子水冲洗干净就得到了氧化铝模板;7)沉积铁、镍:用磁控溅射法把铁、镍沉积到氧化铝多孔模板表面,功率在30W-100w之间沉积时间:1-20分钟;8)退火:对沉积有铁、镍的氧化铝多孔模板在300-600℃作2-5小时真空退火处理,就得到纳米磁性网络结构薄膜。
地址 310027浙江省杭州市西湖区浙大路38号