发明名称 | 半导体器件 | ||
摘要 | 一种半导体器件,具有半导体衬底(1),衬底有多个半导体器件区域(10-1,10-2),在单个半导体器件区域之间沿相邻的半导体器件区域的外围边缘延伸的划线区域(20);衬底上形成层间绝缘膜(2a);层间绝缘膜上形成钝化膜(6a);钝化膜上形成保护膜(7,7a-1,7a-2)。保护膜包括:多个第一面划线区域保护膜图案(7a-1);多个第二面划线区域保护膜图案,第一和第二面划线区域保护膜图案是从划线区域的中心线隔离开的,并相对于中心线轴向对称的排列。 | ||
申请公布号 | CN1180469C | 申请公布日期 | 2004.12.15 |
申请号 | CN01100482.7 | 申请日期 | 2001.01.16 |
申请人 | 恩益禧电子股份有限公司 | 发明人 | 多田勇治 |
分类号 | H01L21/78;H01L23/31 | 主分类号 | H01L21/78 |
代理机构 | 中科专利商标代理有限责任公司 | 代理人 | 朱进桂 |
主权项 | 1.一种半导体器件,其中包括:一个半导体衬底,该衬底具有多个单个的半导体器件区域,以及位于互相毗连的单个半导体器件区域之间的一个划线区域,以使划线区域沿着相邻的单个半导体器件区域外围边缘延伸;在所述半导体衬底上形成的层间绝缘膜;在所述层间绝缘膜上形成的钝化膜;以及在所述钝化膜上形成的保护膜,其中在所述划线区域中的所述保护膜包括:多个第一面划线区域保护膜图案,这些图案形成,使得所述多个第一面划线区域保护膜图案与位于划线区域方向的一个相邻的单个半导体器件区域保护膜连续,同时以一定间隔排列在所述划线区域方向上;以及多个第二面划线区域保护膜图案,这些图案形成,使得所述多个第二面划线区域保护膜图案与位于划线区域方向的另一个相邻的单个的半导体器件区域的保护膜连续,同时以一定间隔排列在所述划线区域的方向上,而且所述第一面划线区域保护膜图案和第二面划线区域保护膜图案两者是从所述划线区域的中心线隔离开的。 | ||
地址 | 日本神奈川县 |