| 主权项 |
1.一种半导体装置之制造方法,其特征在于:于基板之表面形成一部分之元件;将前述基板之至少周缘部,藉由于前述周缘部之被研磨表面,使研磨面磨触地由前述周缘部向前述基板面内方向张设之研磨体研磨。2.如申请专利范围第1项之半导体装置之制造方法,其中于前述研磨之前步骤将前述元件之一部分藉由乾蚀刻制程形成。3.如申请专利范围第2项之半导体装置之制造方法,其中至少研磨前述基板之周缘部之步骤系为,于前述元件之一部分藉由乾蚀刻制程形成之步骤时,去除于前述基板之周缘部所产生之表面粗糙之步骤。4.如申请专利范围第3项之半导体装置之制造方法,其中前述元件之一部分系,沟渠电容之沟渠。5.如申请专利范围第1项之半导体装置之制造方法,其中于形成前述元件之一部分时,由前述元件之一部分之构成材料所成之附着膜至少附着于前述基板之周缘部。6.如申请专利范围第5项之半导体装置之制造方法,其中前述附着膜,将成下步骤之污染源之膜。7.如申请专利范围第5项之半导体装置之制造方法,其中前述元件之一部分系,堆叠式电容之下部电极,插塞及导线之至少一者。8.如申请专利范围第5项之半导体装置之制造方法,其中进一步,具有去除附着于前述基基板背面之前述附着膜之步骤。9.如申请专利范围第1项之半导体装置之制造方法,其中前述研磨系,固定研磨材方式之湿式研磨。10.如申请专利范围第9项之半导体装置之制造方法,其中前述固定研磨材方式系,作为前述研磨体利用研磨胶片者。11.如申请专利范围第10项之半导体装置之制造方法,其中前述研磨胶片,以具有弹性之部件,向前述基板之至少周缘部按压。12.如申请专利范围第10项之半导体装置之制造方法,其中前述研磨胶片,以具有弹性可变形之弹性体,向前述基板之至少周缘部按压。13.如申请专利范围第1项之半导体装置之制造方法,其中前述研磨以乾式进行。14.如申请专利范围第1项之半导体装置之制造方法,其中研磨前述基板之至少周缘部之步骤,具有将前述基板之至少周缘部粗磨,与将前述基板之至少周缘部修饰研磨。15.一种研磨装置,其特征在于包含:研磨体,其系具有与基板接触并研磨该基板之至少周缘部之研磨面;张设部件,其将前述研磨体由前述周缘部向前述基板面内方向对基板面低于90度张设。16.如申请专利范围第15项之研磨装置,其中前述张设部件,含有将前述研磨体向前述基板之周缘部按压之弹性体盖。17.如申请专利范围第16项之研磨装置,其中进一步,含有为将前述弹性体盖向前述基板之周缘部按压之刚体。18.如申请专利范围第15项之研磨装置,其中前述张设部件,含有将前述研磨体向前述基板之周缘部按压之软垫,前述软垫系具有以薄的弹性体形成之袋中密封流体之构成。19.如申请专利范围第15项之研磨装置,其中具备于前述基板之研磨中将气流吹向该基板上之机构,及于前述基板上流放液体机构之至少一方。20.如申请专利范围第15项之研磨装置,其中前述研磨体,具有以一端为送出滚轮,另一端为卷取滚轮所卷起之长条之带形状。图式简单说明:图1A为于该发明之一实施形态之研磨装置安装Si晶圆之状态由正上方俯视之概略平面图。图1B为示于图IA之研磨装置安装Si晶圆之状态由横向所视之概略侧面图。图2A为研磨示于图1A之Si晶圆之凹口部之研磨轮之放大之侧面图。图2B为说明利用图2A之研磨轮研磨Si晶圆之凹口部之图。图3为显示本发明之其他实施形态粒削研磨及修饰研磨所利用之研磨装置之概略平面图。图4为显示藉由本发明之实施形态之研磨装置进行研磨之晶圆之斜边部及边缘部之表面形状之剖面图。图5为显示第1实施形态之研磨装置之变形例之概略构成之侧面图。图6A、6B、6C为显示于该发明之更其他之实施形态之各个研磨胶片与晶圆之相对的3个配置例之图。图7为显示于该发明之进一步其他之实施形态之研磨装置,利用长尺之弹性部件研磨晶圆之斜边部及边缘部之图。图8为显示于该发明之进一步其他之实施形态之研磨装置,利用弹性部件将研磨胶片押向斜边部及边缘部研磨之其他方法。图9为显示于该发明之进一步其他之实施形态之研磨装置,将分别设置之研磨胶片对Si晶圆之端缘部之主表面侧与背面侧各个接触之构成。图10为关于本发明之进一步其他之实施形态之研磨装置之构成概略地显示之平面图。图11A为显示关于本发明之进一步其他之实施形态之研磨装置之概略平面图。图11B为关于图11A之实施形态之研磨装置由横向所示之概略侧面图。图12为显示于该发明之其他实施形态之半导体装置之制造方法,形成Ru膜之制程后之Si晶圆之表面构造之剖面图。图13A为显示关于本发明之进一步其他之实施形态之研磨装置之概略平面图。图13B为关于图13A之实施形态之研磨装置由横向所示构成之概略侧面图。图14为显示利用示于图13A、13B之研磨装置研磨背面之Si晶圆之表面状态之剖面图。图15A~15D为显示关于该发明之一实施形态之半导体装置之制造方法之斜边部之种种形状之图。图16A~16F为显示为对应于示于图15A~15D之种种斜边部之形状控制研磨胶片之接触形状之,关于该发明之一实施形态之半导体装置之制造方法之种种夹具之形状之侧面图。图17为显示关于该发明之一实施形态之半导体装置之制造方法,于形成沟渠电容之深沟渠之制程后之晶圆构成之剖面图。图18为显示接续图17之制程后之晶圆表面状态之剖面图。图19为显示为去除产生于图18之制程之针状凸起之先前方法之一例之剖面图。图20为显示接续图19先前之去除针状凸起之方法之剖面图。图21为显示接续图20之针状凸起去除后之晶圆端部之形状之剖面图。 |
