发明名称 薄膜覆晶型态之影像感测器
摘要 一种薄膜覆晶型态之影像感测器,其系包含有一电路薄膜、一影像感测晶片、一承载基板及一透光玻璃,该电路薄膜系具有一窗口、复数个内接端及复数个外接端,该些内接端系设于该窗口之周边,以与该影像感测晶片覆晶接合,该些外接端系设于该电路薄膜之外缘,以与该承载基板之接合垫接合,该透光玻璃系对应于该影像感测晶片之感测面,并设于该电路薄膜,以密封该影像感测晶片之感测面。
申请公布号 TWM253166 申请公布日期 2004.12.11
申请号 TW093203732 申请日期 2004.03.11
申请人 南茂科技股份有限公司;百慕达南茂科技股份有限公司 CHIPMOS TECHNOLOGIES (BERMUDA)., LTD. 英属百慕达 发明人 赵永清;刘安鸿;李耀荣
分类号 H04N5/228 主分类号 H04N5/228
代理机构 代理人 张启威 高雄市左营区立文路七十七号十六楼之二
主权项 1.一种薄膜覆晶型态之影像感测器,包含:一电路薄膜,其系具有一窗口、复数个内接端及复数个外接端,该些内接端系设于该窗口之周边;一影像感测晶片,其系接合于该电路薄膜,该影像感测晶片系具有一感测面及一背面,该影像感测晶片之该感测面系对应该电路薄膜之该窗口,该影像感测晶片之该感测面周边系形成有复数个凸块,该些凸块系与该电路薄膜之该些内接端结合;一承载基板,其系具有一第一表面,该承载基板之该第一表面系形成有一晶片贴合区及复数个接合垫,该承载基板之该晶片贴合区系与该影像感测晶片之该背面贴合,该承载基板之该些接合垫系设于该晶片贴合区之周边,该承载基板之该些接合垫系与该电路薄膜之该些外接端结合;及一透光玻璃,其系对应于该影像感测晶片之该感测面,该透光玻璃系设于该电路薄膜。2.如申请专利范围第1项所述之薄膜覆晶型态之影像感测器,其中该电路薄膜系具有复数个边角,每一边角系形成有一开槽,以供该电路薄膜结合至该承载基板,不会产生皱折。3.如申请专利范围第1项所述之薄膜覆晶型态之影像感测器,其另包含有一密封胶,其系设于该电路薄膜与该影像感测晶片之间。4.如申请专利范围第3项所述之薄膜覆晶型态之影像感测器,其中该密封胶系选自于异方性导电胶(anisotropic conductive paste,ACP)与覆晶底部填充材(underfilling material)之其中之一。5.如申请专利范围第1项所述之薄膜覆晶型态之影像感测器,其另包含有一填充胶,其系设于该电路薄膜与该承载基板之间。6.如申请专利范围第5项所述之薄膜覆晶型态之影像感测器,其中该填充胶系为B阶(B-stage)固化胶。7.如申请专利范围第1项所述之薄膜覆晶型态之影像感测器,其另包含有一黏着胶,其系设于该电路薄膜与该透光玻璃之间。8.如申请专利范围第7项所述之薄膜覆晶型态之影像感测器,其中该黏着胶系为光感固化胶(photocurable paste)。9.如申请专利范围第1项所述之薄膜覆晶型态之影像感测器,其中该透光玻璃系为红外线滤光片。10.如申请专利范围第1项所述之薄膜覆晶型态之影像感测器,其中该承载基板具有一第二表面,其系对应于该承载基板之该第一表面。11.如申请专利范围第10项所述之薄膜覆晶型态之影像感测器,其另包含有复数个焊球,其系植接于该该承载基板之该第二表面。图式简单说明:第1图:习知之影像感测器构造之截面示意图;第2图:依据本创作之第一具体实施例,一种薄膜覆晶型态之影像感测器,一电路薄膜于封装前之仰视示意图;及第3图:依据本创作之第一具体实施例,一种薄膜覆晶型态之影像感测器之截面示意图。
地址 新竹市新竹科学工业园区研发一路一号