具有垂直型晶体管与沟槽电容器的存储器装置的制造方法

摘要

一种防止具有垂直型晶体管与沟槽电容器的存储器装置的埋入带区域重迭的方法，包括下列步骤：提供一具有至少一沟槽的基底；于沟槽下部形成一电容器；于电容器上方形成一导线结构；于导线结构上方形成第一沟槽顶端绝缘层；于第一沟槽顶端绝缘层上方的沟槽侧壁上形成一介电层间隙壁；去除第一沟槽顶端绝缘层以露出介电层间隙壁与导线结构之间的沟槽侧壁；于该沟槽侧壁周围的基底中形成一埋入带；去除介电层间隙壁；于导线结构上方形成第二沟槽顶端绝缘层；于第二沟槽顶端绝缘层上方的沟槽中形成一控制闸极。

主权项

1、一种具有垂直型晶体管与沟槽电容器的存储器装置的制造方法，包括：提供一基底；于该基底中形成至少一沟槽；于该沟槽下部形成一电容器；于该电容器上方形成一导线结构；于该导线结构上方形成一第一沟槽顶端绝缘层；于该第一沟槽顶端绝缘层上方形成一介电层间隙壁衬垫于该沟槽侧壁上；去除该第一沟槽顶端绝缘层以露出该介电层间隙壁与该导线结构之间的该沟槽侧壁；于该露出的沟槽侧壁周围的该基底中形成一埋入带作为汲极，其中上述该介电层间隙壁是作为形成该埋入带时的一罩幕层；去除该介电层间隙壁；于该导线结构上方形成一第二沟槽顶端绝缘层；及于该第二沟槽顶端绝缘层上方形成一控制闸极，其中该第二沟槽顶端绝缘层是作为该控制闸极与该导线结构的绝缘阻隔。