| 发明名称 | 全SiNx微结构谐振梁压力传感器 | ||
| 摘要 | 一种新型全SiN<SUB>x</SUB>微结构谐振梁压力传感器，包括谐振梁(10)、谐振梁上的金属电极(11)和激振电阻(13)、硅衬底(15)，SiN<SUB>x</SUB>压力敏感膜(17)位于硅衬底(15)上部，谐振梁(10)的下部。本发明实现梁膜一体化，简化工艺，实现更高精度和微小物理量的测量。梁的尺寸可以精确控制，而且均匀性好，使得压力传感器的物理参数有可能得到精确控制。易于实现微梁谐振器，从而制作微梁压力传感器，达到进一步降低器件成本的目的。实现微传感器的集成化和阵列化。例如微梁压力传感器与测试系统的集成，压力传感器和其它传感器的混合集成。由于SiN<SUB>x</SUB>具有更好的机械加工性能，可以制作更为复杂的谐振粱器件。 | ||
| 申请公布号 | CN1179203C | 申请公布日期 | 2004.12.08 |
| 申请号 | CN01124284.1 | 申请日期 | 2001.08.24 |
| 申请人 | 中国科学院电子学研究所 | 发明人 | 于中尧 |
| 分类号 | G01L7/00;G01D5/02 | 主分类号 | G01L7/00 |
| 代理机构 | 中科专利商标代理有限责任公司 | 代理人 | 戎志敏 |
| 主权项 | 1.一种全SiNx微结构谐振梁压力传感器，包括谐振梁(10)、谐振梁上的金属电极(11)和激振电阻(13)、硅衬底(15)，其特征在于SiNx压力敏感膜(17)位于硅衬底(15)上部，谐振梁(10)的下部，所述谐振梁(10)是SiNx谐振梁。 | ||
| 地址 | 100080北京市海淀区中关村路17号 | ||