| 发明名称 | 半导体集成电路器件 | ||
| 摘要 | 一种半导体集成电路器件，包括：(a)形成在半导体衬底中的沟槽，以及(b)埋置在所述沟槽内的第一绝缘膜；其中，所述沟槽具有倾斜的表面，所述倾斜的表面和所述半导体衬底(1)的表面之间的第一边界部分是圆形的，以及所述倾斜的表面和所述沟槽的侧壁之间的第二边界是圆形的。被所述沟槽包围的有源区的衬底表面，在有源区的中心部分是水平面，但在有源区的肩部向着沟槽的侧壁下降。该斜面包括两个具有不同倾斜角的斜面。靠近有源区中心部分的第一斜面较陡峭，靠近元件隔离沟槽侧壁的第二斜面比第一斜面平缓。有源区肩部的村底表面完全变圆，没有尖角部分。 | ||
| 申请公布号 | CN1553494A | 申请公布日期 | 2004.12.08 |
| 申请号 | CN200410059842.0 | 申请日期 | 1999.12.28 |
| 申请人 | 株式会社日立制作所 | 发明人 | 金光贤司;渡部浩三;铃木范夫;石冢典男 |
| 分类号 | H01L21/76;H01L27/04;H01L29/78;H01L21/336;H01L21/8234 | 主分类号 | H01L21/76 |
| 代理机构 | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人 | 王以平 |
| 主权项 | 1.一种半导体集成电路器件，包括：(a)形成在半导体衬底中的沟槽，以及(b)埋置在所述沟槽内的第一绝缘膜；其中，所述沟槽具有倾斜的表面，所述倾斜的表面和所述半导体衬底(1)的表面之间的第一边界部分是圆形的，以及所述倾斜的表面和所述沟槽的侧壁之间的第二边界是圆形的。 | ||
| 地址 | 日本东京 | ||