| 主权项 |
1.一种光刻设备,包括:一辐射系统,用于提供一辐射投影光束;一支撑结构,用于支撑图样化装置,该图样化装置系用于按照一所想要图样将该投影光束图样化;一基板台,用于一支承一基板;一投影系统,用于将该图样化光束投影在该基板的一目标部位上;至少一处理室,用于封入该辐射系统、该支撑结构、该基板及该投影系统之至少一项的至少一部位;以及一气体净化管,其被排列在该投影光束路径中,其特征为该气体净化管包括:至少两组通道,其以实质上平行于该投影光束传播方向排列,该等两组通道沿着该投影光束光学轴互相隔开;及供应装置,用于将一充气供应至介于该等两组通道之间的间隔。2.如申请专利范围第1项之设备,其中该等两组通道之至少一组通道包含以放射状排列在该光学轴周围的通道。3.如申请专利范围第1项之设备,其中该等通道的长度大于宽度至少8倍。4.如申请专利范围第3项之设备,该设备进一步包括抽空装置,用于从该气体净化管抽出气体。5.如申请专利范围第4项之设备,其中该气体抽空装置的帮浦容量足以适用于该等第一或第二组通道的传导性,以使从该气体净化管泄漏的气压是该空间中气压的至少10倍,最好是40倍,而以100倍最佳。6.如申请专利范围第4项之设备,其中该气体抽空装置的帮浦容量促使清空该气体净化管容积的期间小于气体分子在室温下通过该等第一或第二组通道之任一通道散扩的平均时间。7.如申请专利范围第1项之设备,其中该气体净化管位于包含该辐射系统中之一辐射来源与一照明系统之间。8.如申请专利范围第1项之设备,其中该支撑结构包含一用于支承一光罩的光罩台。9.一种半导体装置制造方法,包括下列步骤:提供一基板,该基板至少部份被一雷射感应材料层覆盖;使用一辐射系统来提供一辐射投影光束;使用一气体净化管以从该投影光束去除致污物颗粒;使用图样化装置,使该辐射光束的横断面具有一图样;以及将该图样化辐射光束投影在该雷射感应材料层的一目标部位上;其特征为去除致污物颗粒之步骤包括:透过至少两组通道连续传送投影光束,该等两组通道沿着该投影光束传播方向互相隔开;及将一充电供应至介于该等两组通道之间的间隔。10.如申请专利范围第9项之方法,该方法进一步包括从该气体净化管抽出该充气。11.如申请专利范围第10项之方法,其中该抽空气体步骤的执行速度足以促使促该气体净化管泄漏的气压是该空间中气压的至少10倍,最好是40倍,而以100倍最佳。12.如申请专利范围第10项之方法,其中该抽空气体步骤的执行速度足以促使清空该气体净化管容积的时间小于气体分子在室温下通过该等第一或第二组通道之任一通道散扩的平均时间。13.如申请专利范围第1、2、3、4、5、6、7或8项之设备,其中该投影光束包括EUV辐射。14.如申请专利范围第9、10、11或12项之方法,其中该投影光束包括EUV辐射。15.一种使用气体净化管之光刻设备,包括:一辐射系统,用于提供一辐射投影光束;一支撑结构,用于支撑图样化装置,该图样化装置系用于按照一所想要图样将该投影光束图样化;一基板台,用于一支承一基板;一投影系统,用于将该图样化光束投影在该基板的一目标部位上;至少一处理室,用于封入该辐射系统、该支撑结构、该基板及该投影系统之至少一项的至少一部位;以及该气体净化管,其被排列在该投影光束路径中,其特征为该气体净化管包括:至少两组通道,其以实质上平行于该投影光束传播方向排列,该等两组通道沿着该投影光束光学轴互相隔开;及供应装置,用于将一充气供应至介于该等两组通道之间的间隔。16.一种使用气体净化管之半导体装置制造方法,包含以下步骤:提供一基板,该基板至少部份被一雷射感应材料层覆盖;使用一辐射系统来提供一辐射投影光束;使用该气体净化管以从该投影光束去除致污物颗粒;使用图样化装置,使该辐射光束的横断面具有一图样;以及将该图样化辐射光束投影在该雷射感应材料层的一目标部位上;其特征为去除致污物颗粒之步骤包括:透过至少两组通道连续传送投影光束,该等两组通道沿着该投影光束传播方向互相隔开;及将一充电供应至介于该等两组通道之间的间隔;且该气体净化管包括:至少两组通道,其以实质上平行于该投影光束传播方向排列,该等两组通道沿着该投影光束光学轴互相隔开;及供应装置,用于将一充气供应至介于该等两组通道之间的间隔。图式简单说明:图1显示根据本发明具体实施例的光刻设备;图2显示根据本发明之排列于辐射来源四周的气体净化管;以及图3显示EUV光刻设备之各种真空室的原理图。 |
