| 发明名称 | 一种用于制造具有金属栅电极的半导体器件的方法 | ||
| 摘要 | 本发明描述了一种用于制造半导体器件的方法。该方法包括：在衬底上形成电介质层，并且在电介质层上形成含杂质金属层。然后由该含杂质金属层形成金属栅电极。本发明还描述了一种半导体器件，所述半导体器件包括形成在电介质层上的金属栅电极，其中所述电介质层形成在衬底上。金属栅电极包括足够量的杂质，以使所述金属栅电极的功函数改变至少约0.1eV。 | ||
| 申请公布号 | CN1551300A | 申请公布日期 | 2004.12.01 |
| 申请号 | CN200410038151.2 | 申请日期 | 2004.05.08 |
| 申请人 | 英特尔公司 | 发明人 | 罗伯特·周;马克·多齐;马库斯·库恩 |
| 分类号 | H01L21/28;H01L21/336;H01L21/8238;H01L29/78;H01L27/092 | 主分类号 | H01L21/28 |
| 代理机构 | 北京东方亿思专利代理有限责任公司 | 代理人 | 柳春雷 |
| 主权项 | 1.一种用于制造半导体器件的方法，包括：在衬底上形成电介质层；在所述电介质层上形成含杂质金属层；以及由所述含杂质金属层形成金属栅电极。 | ||
| 地址 | 美国加利福尼亚州 | ||