| 发明名称 | 图形形成方法和应用该方法的半导体器件的制造方法 | ||
| 摘要 | 在半导体基体之上的被加工层13之上，采用使光致抗蚀剂膜图形化的办法形成第1图形化层14a。在形成了光致抗蚀剂图形后，借助于附加处理使第1图形化层14a变小。其次，在用耐刻蚀性比较大的材料在第1图形化层14a之间形成了埋入膜15后，在进行了平坦化处理后，除去第1图形化层14a。借助于此，使第2图形化层15a剩下来。使用该第2图形化层，刻蚀基底的被加工层13。然后，以基底的被加工层13为掩模，刻蚀例如铝膜12。 | ||
| 申请公布号 | CN1551298A | 申请公布日期 | 2004.12.01 |
| 申请号 | CN200410034731.4 | 申请日期 | 2004.05.09 |
| 申请人 | 株式会社东芝 | 发明人 | 庄浩太郎;柴田刚;加藤宽和;大西廉伸;河村大辅 |
| 分类号 | H01L21/027;H01L21/3065;H01L21/302;G03F7/00 | 主分类号 | H01L21/027 |
| 代理机构 | 北京市中咨律师事务所 | 代理人 | 陈海红;段承恩 |
| 主权项 | 1.一种图形形成方法，包括：在半导体基体之上形成要加工的层；在上述第1层之上形成光致抗蚀剂层；通过使上述光致抗蚀剂层图形化，形成具有多个图形的第1图形化层；使第1图形化层的图形的宽度变细或加粗；在上述第1图形化层的图形间形成第2图形化层；以上述第2图形化层为掩模使上述第1层图形化。 | ||
| 地址 | 日本东京都 | ||