形成具有改进的界面和粘合力的铜互连封盖层的方法

摘要

使用含氨等离子体处理裸露平坦的铜或铜合金表面(30)后，通过延迟和/或慢慢加速地导进硅烷以沉淀氮化硅封盖层，可以明显地增加位障或封盖层(40)与铜或铜合金互连器件(13A)之间接口与粘着力的完整性。其它实施方案则包括于导入晶片以用于等离子体处理以前，在一提高的温度下使用氮气涤净反应室以移除残留的气体。

主权项

1.一种制造半导体器件的方法，该方法依序包括：于第一压力的反应室中使用含氨等离子体处理铜(Cu)或铜合金表面(13A)；在一段约30秒至60秒的时间里，将该第一压力减压至约为50m托至100m托的第二压力；导引硅烷进入反应室中；以及在反应室中沉淀氮化硅位障层(40)于铜或铜合金层(13A)的表面(30)上。