发明名称 |
非易失半导体存储装置 |
摘要 |
本发明提供一种半导体存储装置,存储单元阵列具有第1、第2存储区域。上述第1存储区域具有由地址信号选择的多个存储元件,上述第2存储区域具有由控制信号选择的多个存储元件。控制电路具有第1熔丝元件。上述控制电路在上述第1熔丝元件被切断时,禁止对于上述第2存储区域的写入和擦除的至少其中之一。 |
申请公布号 |
CN1178228C |
申请公布日期 |
2004.12.01 |
申请号 |
CN01137244.3 |
申请日期 |
2001.09.20 |
申请人 |
株式会社东芝 |
发明人 |
柴田升;田中智晴 |
分类号 |
G11C11/34;G11C16/00;H01L27/10 |
主分类号 |
G11C11/34 |
代理机构 |
中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 |
代理人 |
罗亚川 |
主权项 |
1、一种半导体存储装置,包含:具有第1、第2存储区域的存储单元阵列,上述第1存储区域(blk)具有由地址信号选择的多个存储元件,上述第2存储区域(blkRD)具有由控制信号选择的多个存储元件;其特征是还包含:具有存储电路的控制电路,上述控制电路在切断上述存储电路时,禁止对上述第2存储区域的写入和擦除中的至少一种。 |
地址 |
日本东京都 |