| 发明名称 | 在去光刻制程中避免低介电常数介电层劣化的方法 | ||
| 摘要 | 一种在去光刻制程中避免低介电常数介电层劣化的方法，是先于半导体晶片的基底表面形成低介电常数介电层，接着对该低介电常数介电层进行一表面处理，于该低介电常数介电层表面形成钝化层；随后于半导体晶片表面上形成图案化的光刻胶层，并利用该光刻胶层作为硬掩模来对低介电常数介电层进行一蚀刻制程；最后再去除图案化的光刻胶层。其中钝化层是用来避免低该介电常数介电层于该去光刻制程中发生介电特性劣化的现象。利用含氮等离子的前处理，于低介电常数介电层表面形成钝化层，进而抑制该低介电常数介电层于去光刻制程中受损而形成Si-OH键，有效避免因Si-OH键吸附水气导致低介电常数介电层发生介电特性劣化的现象。 | ||
| 申请公布号 | CN1178276C | 申请公布日期 | 2004.12.01 |
| 申请号 | CN02140252.3 | 申请日期 | 2002.07.02 |
| 申请人 | 联华电子股份有限公司 | 发明人 | 张鼎张;刘柏村;莫亦先 |
| 分类号 | H01L21/027;H01L21/768;H01L21/3105 | 主分类号 | H01L21/027 |
| 代理机构 | 北京三友知识产权代理有限公司 | 代理人 | 刘朝华 |
| 主权项 | 1、一种在去光刻制程中避免低介电常数介电层劣化的方法，其特征是：它包括如下步骤：(1)低介电常数介电层是形成于基底表面，对该低介电常数介电层进行表面处理，于该低介电常数介电层表面形成钝化层；(2)于该基底上形成图案化的光刻胶层；(3)利用该光刻胶层作为硬掩模，对该低介电常数介电层进行蚀刻制程；(4)进行去光刻制程。 | ||
| 地址 | 台湾省新竹市 | ||