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发明名称
电阻性电极构造,具备其之化合物半导体发光元件及LED灯
摘要
【课题】关于p形磷化硼系半导体层设置低接触电阻的p形电阻性电极,提供高发光强度的化合物半导体发光元件。【解决方法】接触p形磷化硼系半导体层的表面之底面部作为以镧系元素或其合金膜构成p形电阻性电极。
申请公布号
TW200423439
申请公布日期
2004.11.01
申请号
TW093105397
申请日期
2004.03.02
申请人
昭和电工股份有限公司
发明人
宇田川隆
分类号
H01L33/00
主分类号
H01L33/00
代理机构
代理人
林志刚
主权项
地址
日本
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