| 摘要 |
Die vorliegende Erfindung bezieht sich auf die Anwendung von stromlos abgeschiedenen ternären nickelhaltigen Metalllegierungen des Typs NiM-R (mit M = Mo, W, Re, Cr und R = B, P) in der Halbleitertechnologie. Insbesondere bezieht sich die vorliegende Erfindung auf die Anwendung dieser abgeschiedenen ternären nickelhaltigen Metalllegierungen als Barrierenmaterial bzw. als selektives Einkapselungsmaterial zur Verhinderung der Diffusion und Elektromigration von Kupfer in Halbleiterbauelementen. |
