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Die Erfindugn betrifft einen Hochfrequenz-Bipolartransistor 1, bestehend aus zumindest einem Emitterkontakt 2, der an einen Emitteranschlussbereich 3 angrenzt, einem Basiskontakt 4, der an einem Basisanschlussbereich 5 angrenzt, einem Kollektorkontakt 6, der an einen Kollektoranschlussbereich 7 angrenzt, wobei als Kollektoranschlussbereich eine vergrabene Schicht 7 vorgesehen ist, die den Kollektorkontakt 6 mit einem Kollektorgebiet 14 verbindet. Weiterhin betrifft die Erfindung ein Verfahren zur Herstellung solch eines Hochfrequenz-Bipolartransistors 1. DOLLAR A Die Erfindung zeichnet sich dadurch aus, dass eine Silizidregion 8 auf der vergrabenen Schicht 7 vorgesehen ist, die den Kollektorkontakt 6 niederohmig an das Kollektorgebiet 14 anschließt.
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