发明名称 相变化记忆体写入的驱动方法与系统
摘要 本发明提供一种相变化记忆体写入的驱动方法,包括计数一相变化记忆体的一存取次数以及当该存取次数大于一预定次数时,对该相变化记忆体进行资料翻新动作。
申请公布号 TW200830319 申请公布日期 2008.07.16
申请号 TW096101233 申请日期 2007.01.12
申请人 财团法人工业技术研究院;力晶半导体股份有限公司;南亚科技股份有限公司;茂德科技股份有限公司;华邦电子股份有限公司 发明人 许世玄;林烈萩;江培嘉;王文翰
分类号 G11C13/00(2006.01) 主分类号 G11C13/00(2006.01)
代理机构 代理人 洪澄文;颜锦顺
主权项
地址 新竹市新竹科学工业园区研新三路4号
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