| 主权项 |
1.一种制作氧化矽/氮化矽/氧化矽结构的方法,包 括: 于一基底上形成一第一氧化矽层以及于该第一氧 化矽层上形成一氮化矽层; 回火该氮化矽层; 藉由高温低压化学气相沈积制程,于回火过的该氮 化矽层上形成一第二氧化矽层,该第一氧化矽层、 该氮化矽层以及该第二氧化矽层构成一氧化矽/氮 化矽/氧化矽膜; 于该第二氧化矽层上沈积一第一闸层; 图案化该闸层以及该氧化矽/氮化矽/氧化矽膜,以 形成一氧化矽/氮化矽/氧化矽结构; 于邻近该氧化矽/氮化矽/氧化矽结构的该基底中 形成复数条位元线;以及 进行回火,以于该些位元线上形成一热氧化物。 2.如申请专利范围第1项所述之方法,其中形成该第 一氧化矽层包括于700℃~900℃范围之间的一温度下 施行该基底的一乾式氧化法。 3.如申请专利范围第2项所述之方法,其中施行该乾 式氧化法包括使用一流动之氧气与氮气作为一载 体气体。 4.如申请专利范围第2项所述之方法,其中该第一氧 化矽层的厚度在30埃~100埃之间。 5.如申请专利范围第1项所述之方法,其中形成该氮 化矽层包括施行一化学气相沈积制程。 6.如申请专利范围第5项所述之方法,其中该氮化矽 层的厚度在30埃~80埃之间。 7.如申请专利范围第1项所述之方法,其中回火该氮 化矽层包括于800℃~1000℃范围之间的一温度下施 行一湿式氧化法。 8.如申请专利范围第7项所述之方法,其中施行该湿 式氧化法包括使用一流动之氧气与氢气作为一载 体气体。 9.如申请专利范围第1项所述之方法,其中藉由高温 低压化学气相沈积制程形成该第二氧化矽层包括 于800℃左右的一温度下使用一氧化二氮与二氯矽 烷的一混合物作为一沈积气体。 10.如申请专利范围第9项所述之方法,其中该第二 氧化矽层的厚度在30埃~150埃之间。 图式简单说明: 第1图是依照本发明之一较佳实施例之制造流程步 骤示意图。 第2A图至第2H图系根据本发明之第1图所示之制造 流程剖面示意图。 第3图系依照本发明在制程中用以形成一底氧化物 的一乾式氧化法的示范性草案示意图。 第4图系依照本发明在制程中用以施行一氮化物回 火的一湿式氧化法的示范性草案示意图。 第5图系依照本发明之记忆胞的较高启始电压与长 期烘烤时间的数据图。 |
