| 主权项 |
1.一种包括一可定址像素之阵列的矩阵显示装置, 每一可定址像素都具有一显示元件与一用于控制 该显示元件运作之控制电路,该控制电路包括: 一电荷储存电容器及一耦接至该储存电容器之感 光装置,该感光装置根据落在其上的光,来调节储 存在该储存电容器上的电荷, 一用于驱动该显示元件之驱动元件,该驱动元件之 一控制端子被连接至该储存电容器, 一用于将一资料讯号施加至该驱动元件之定址元 件,及 用于对该感光装置的一控制端子进行独立电压控 制之构件。 2.如申请专利范围第1项之矩阵显示装置,其中该独 立电压控制构件包括一连接至该感光装置之闸极 端子的选择线。 3.如申请专利范围第1项之矩阵显示装置,其中该感 光装置包括一薄膜电晶体,该薄膜电晶体的导电性 类型相同于该驱动元件及该定址元件。 4.如申请专利范围第1项之矩阵显示装置,其中该显 示元件包括一有机发光二极体。 5.如申请专利范围第2项之矩阵显示装置,其中对该 显示器之每一选择线而言,可个别定址该选择线。 6.如申请专利范围第2项之矩阵显示装置,其中该选 择线由一单一共同端子形成。 7.一种显示装置,其包括: 一如申请专利范围第1项之矩阵显示装置; 一资料驱动器电路,用于将该资料讯号施加至该定 址开关元件之一资料端子;及 一选择驱动器电路,用于将一选择讯号施加至该选 择线。 8.如申请专利范围第7项之显示装置,其中该独立电 压控制构件包括工作周期控制构件。 图式简单说明: 图1展示了一习知的主动矩阵场致发光显示装置, 图2说明了该习知显示装置电路中的几个典型的像 素, 图3A与图3B分别展示了p-型与n-型光电晶体之运作 范围, 图4展示了一用于根据本创作之显示装置的控制电 路之实施例, 图5展示了另一用于根据本创作之显示装置的控制 电路之实施例,其中,所有的薄膜电晶体与光电晶 体为n-型, 图6展示了另一用于根据本创作之显示装置的控制 电路之实施例, 图7展示了再一用于根据本创作之显示装置的控制 电路之实施例,及 图8A与图8B分别展示了在活动与静态影像的情况下 ,作为图框时间之函数的根据本创作之显示装置的 光输出。 |
