相变存储器中纳米量级单元器件的制备方法

摘要

本发明涉及相变存储器中纳米量级单元器件的制备方法，属于微电子领域。本方法特征在于先在基底上制备10－400nm的过渡层和50－400nm的下电极；接着利用网眼孔径为10－500um的掩膜连续溅射约为10－1000nm的合金层以及20－400nm的上电极，得到了众多柱体。然后针对合金层进行腐蚀，由于该腐蚀液对上下电极和合金腐蚀速度的不同，上下电极将基本不被腐蚀；腐蚀后合金层呈现出为两头粗中间细的形状。这种中间细的结构有利于相变合金材料的相变，正是相变存储器研发设计中所要求的。最后，在上述样品上沉积填充物，在柱体中段凹进去的地方形成了间隙，间隙在此起到绝热和抑制合金层相变时膨胀的作用。相变合金层不一定是柱状，可以为其他形状。

主权项

1.一种相变存储器纳米量级单元器件的制备方法，包括基底的选择和清洗，其特征在于清洗后的基底上先后制备过渡层和下电极，再在下电极上利用掩膜板相继制备相变合金层和上电极，接着取下掩膜板，对合金层进行腐蚀，形成中间细两头粗的形状，然后填充绝缘填充物，最后将多余填充物抛去并露出上电极。