| 摘要 |
本发明揭示一种半导体装置，制造该装置时可抑制台面形状异常之发生而不会限制图案布局、所用蚀刻剂的类型等，该半导体装置具有：一半导体台面部分，其包括在一基板上的一集极层、一基极层及射极层之堆叠并用作一双极电晶体的一作用区；一基极接触垫台面部分，其与该部分以一预定距离分开并具有一与该基极层上表面相同的高度；以及一导体层，其与一连接至该基极层的基极电极、一形成在该基极接触垫台面部分上除靠近该基极接触垫台面部分的上表面之边缘附近的区域以外之一区域中的基极接触垫电极，及一连接该等电极的互连整体形成，以及一种制造该装置之方法。 |
