薄膜电晶体及其制造方法

摘要

本发明提供一种TFT(薄膜电晶体)，其具有一氢植入层，可不需增加微影步骤而缩短氢之扩散距离。此氢植入层可将氢扩散至复晶矽薄膜与闸极绝缘层间之悬键处，并可形成于闸极绝缘层欲闸极之间。根据此特性可缩短氢化周期间清之扩散距离，且勿需费时于热处理即可充分地执行氢化制程。