发明名称 | 蚀刻氮化矽薄膜的设备及方法 | ||
摘要 | 一种蚀刻氮化矽薄膜的设备及方法,此方法系首先提供一磷酸槽,并且在磷酸槽之侧边装设一音波产生器。接着,将一晶圆浸入磷酸槽中,其中晶圆上已形成有一氮化矽薄膜。之后,开启音波产生器,以使晶圆上之氮化矽薄膜被蚀刻或移除。由于本发明在磷酸槽之侧边装设有音波产生器,因此可以帮助磷酸槽中之浓磷酸与水之间混合的均匀度,进而促进蚀刻之均匀度。 | ||
申请公布号 | TW200425324 | 申请公布日期 | 2004.11.16 |
申请号 | TW092112794 | 申请日期 | 2003.05.12 |
申请人 | 旺宏电子股份有限公司 | 发明人 | 张庆裕 |
分类号 | H01L21/306 | 主分类号 | H01L21/306 |
代理机构 | 代理人 | 詹铭文;萧锡清 | |
主权项 | |||
地址 | 新竹市新竹科学园区力行路十六号 |