发明名称 蚀刻氮化矽薄膜的设备及方法
摘要 一种蚀刻氮化矽薄膜的设备及方法,此方法系首先提供一磷酸槽,并且在磷酸槽之侧边装设一音波产生器。接着,将一晶圆浸入磷酸槽中,其中晶圆上已形成有一氮化矽薄膜。之后,开启音波产生器,以使晶圆上之氮化矽薄膜被蚀刻或移除。由于本发明在磷酸槽之侧边装设有音波产生器,因此可以帮助磷酸槽中之浓磷酸与水之间混合的均匀度,进而促进蚀刻之均匀度。
申请公布号 TW200425324 申请公布日期 2004.11.16
申请号 TW092112794 申请日期 2003.05.12
申请人 旺宏电子股份有限公司 发明人 张庆裕
分类号 H01L21/306 主分类号 H01L21/306
代理机构 代理人 詹铭文;萧锡清
主权项
地址 新竹市新竹科学园区力行路十六号