摘要 |
本发明揭露一种DPP EUV源,其可包含一采用一金属卤素气体自离开电浆的杂屑产生一金属卤化物之杂屑消减装置。EUV源可具有一可包含复数个曲线型遮蔽构件之杂屑遮蔽器,其中复数个曲线型遮蔽构件具有由对准于一焦点的光通道所连接之内及外表面,该等遮蔽构件可与其间的开放空间呈现交替且可具有在一旋转轴线中形成一圆形且在另一旋转轴线中形成一椭圆形之表面。可对于电极供应一放电脉冲且其经过定型以在放电的轴向跑出阶段期间产生一适度电流并在放电的径向压缩阶段期间产生一峰值。光源可包含一涡轮分子泵且其具有一连接至产生室之入口并可操作以从室优先泵送比起缓冲气体更多之源气体。此源可包含一经调整的导电电极,此导电电极包含:一经差异性掺杂的陶瓷材料,其掺杂入一第一区中以至少选择导电性以及一第二区中以至少选择导热性。第一区可位于或接近于电极结构的外表面,且陶瓷材料可为SiC或氧化铝,而掺杂物为BN、或为一金属氧化物包括SiO或TiO2。源部可包含一可移式电极总成安装座且可操作以将电极总成安装座从一更换位置移至一操作位置,其中可移式安装座系位于一伸缩节上。源部可具有一温度控制机构,其可操作性连接至收集器且可操作用以调节各别壳套构件的温度以维持一与温度有关的几何结构而使得来自各别壳套构件之入射反射的掠射角达到最佳化,或具有一用以定位壳套构件之机械定位器。可以一电压使壳套偏压。可利用偏离焦点的雷射辐射来制造杂屑遮蔽器。可藉由一界定有两个冷却剂通道之中空内部或界定有通道之多孔金属来冷却阳极。可利用提供均匀分离与加强且不会阻绝显着光量之互锁签片,藉由附接至一安装环或毂或附接至彼此之复数个大、中及小型鳍片来形成杂屑遮蔽器。 |