| 摘要 |
本发明为关于半导体装置，特别为关于在半导体基板之厚度方向有主电流流通之半导体装置，而以提供不但能满足性能及耐压，并能满足半导体基板之机械强度，并于照像制版工序时不需做曝光装置等之调整手续的半导体装置为目的。为达成上述目的，本发明之半导体装置具备在第1主面(MS1)之相反侧之第2主面(MS2)形成有由侧面(91)及底面(92)规划之凹部(9)的半导体基板(1)，设在半导体基板(1)之凹部(9)之底面(92)之表面内的半导体领域(IP5)，设在第2主面(MS2)侧之周边领域(1A)之表面内的半导体领域(IP4)，及设在凹部(9)之侧面(91)上而将半导体领域(IP4)与(IP5)电气绝缘之绝缘膜(IL)。 |
