具有多发射电极的叠堆闸快闪记忆细胞元结构及其无接点快闪记忆阵列

摘要

一种叠堆闸快闪记忆细胞元结构至少包含一个闸区形成于共源／汲区之间。上述之共源／汲区至少包含一对埋层源／汲扩散区藉由形成于一对回蚀第一侧边墙介电垫层之间的一个回蚀平面化场氧化物层来分离及一对延伸漂浮闸岛形成于该对回蚀第一侧边墙介电垫层及该回蚀平面化场氧化物层的一部份之上。上述之闸区至少包含一个主漂浮闸岛或一个凹槽主漂浮闸岛连同两个延伸漂浮闸岛来形成具有多发射电极的一个积体化漂浮闸岛及一个离子布植区形成于该凹槽主漂浮闸岛的一个凹槽部份之下。根据上述之漂浮闸结构，本发明揭示两种无接点快闪记忆阵列。