| 主权项 |
1.一积体电路晶片保护电路,系适用于一IC晶片之接脚上,该接脚耦接至一电池电压源上,该积体电路晶片保护电路系包括:一保护单元,系设于该接脚至该电池电压源之间,当在一预定工作电压范围时,该保护单元呈关闭状态,当有一过高电压产生时,该保护单元即呈现导通状态以释放该过高电压。2.如申请专利范围第1项所述之积体电路晶片保护电路,其中该保护单元具有两反向串接之稽纳二极体,其一端系连接至该电池电压接脚上,另端则耦接至一低电源端。3.如申请专利范围第1项所述之积体电路晶片保护电路,其中该IC晶片中更设有一ESD防护元件,且该ESD防护元件系设于该接脚至内部电路之间。4.如申请专利范围第1项所述之积体电路晶片保护电路,其中该IC晶片系为一类比-数位转换IC。5.如申请专利范围第4项所述之积体电路晶片保护电路,其中该类比-数位转换IC系设于一具触控萤幕之电子装置中。6.如申请专利范围第5项所述之积体电路晶片保护电路,其中该电子装置系为一个人数位助理(PDA)。7.一积体电路晶片保护电路,系适用于一IC晶片的接脚上,该接脚系耦接至一电池电压源上,该积体电路晶片保护电路系包括:一保护单元,设于该接脚至该电池电压源之间,以控制该输入之电池电源于一设定电流范围内。8.如申请专利范围第7项所述之积体电路晶片保护电路,其中该保护单元包括一限流元件,且该限流元件系串联于该接脚与该电池电压源间。9.如申请专利范围第8项所述之积体电路晶片保护电路,其中该限流元件系为一电阻。10.如申请专利范围第7项所述之积体电路晶片保护电路,其中该IC晶片中更设有一ESD防护元件,且该ESD防护元件系设于该接脚至内部电路之间。11.如申请专利范围第7项所述之积体电路晶片保护电路,其中该IC晶片系为一类比-数位转换IC。12.如申请专利范围第11项所述之积体电路晶片保护电路,其中该类比-数位转换IC系设于一具触控萤幕之电子装置中。13.如申请专利范围第12项所述之积体电路晶片保护电路,其中该电子装置系为一个人数位助理(PDA)。14.如申请专利范围第11项所述之积体电路晶片保护电路,更包括一精度控制单元,系接收由该类比数位转换IC所转换输出之电池电压値,经由加上一参数値后输出。图式简单说明:第1A图系显示静电放电保护电路被损坏之图示;第1B图系显示第1A图损坏处之放大图示;第1C图系显示一电阻特性示意图;第2图所示系为本创作一第一较佳实施例之电路方块图;第3图系显示本创作第二较佳实施例之电路示意图;第4图系显示IC晶片之内部电路示意图;第5A图系显示加入电阻前与加入电阻后之数据比较表;第5B图系显示加入电阻前与加入电阻后之比较图;及第6图所示系为本创作第三较佳实施例之方块示意图。 |
