发明名称 晶片载体的固定程序
摘要 本发明揭示一种晶片载体的固定程序,在该等晶片载体中从一金属箔中将轨迹(track)冲断,接着将该晶片应用于所得之轨迹系统中,并将晶片焊接于焊线且进行密封;其中承载该晶片的晶片载体涂布有一电气绝缘层,该绝缘层最好为密封剂,使得该绝缘层延伸超出该晶片载体,当切断金属箔与晶片载体之间的所有金属接触时,该晶片载体系透过该绝缘层固定于金属箔的适当位置。
申请公布号 TWI223862 申请公布日期 2004.11.11
申请号 TW091134483 申请日期 2002.11.27
申请人 W. C. 希瑞思公司 发明人 艾佛瑞德 鲍尔;豪斯特 哈特曼;刚特 寇洛札
分类号 H01L21/68 主分类号 H01L21/68
代理机构 代理人 陈长文 台北市松山区敦化北路二○一号七楼
主权项 1.一种晶片载体的固定程序,在该等晶片载体中从一金属箔中将轨迹冲断,接着将该晶片应用于所得到的轨迹系统,并将其焊接于焊线且进行密封;其特征为承载该晶片的该晶片载体涂布有一电气绝缘层,该绝缘层最好为密封剂;且该绝缘层延伸超出该晶片载体之范围,使得当切断金属箔与晶片载体之间的所有金属接触时,该晶片载体仍能透过该绝缘层固定于该金属箔的适当位置。2.如申请专利范围第1项之程序,其特征为所涂布的该绝缘层最好系一液体固化材料,其系藉由压铸及固化所涂布。3.如申请专利范围第1或2项之程序,其特征为该金属箔具有锚定孔,其用于该液体材料的穿透。4.如申请专利范围第1或2项之程序,其特征为与该晶片载体邻接的该金属箔的该等边缘具有一或数个凹穴。5.如申请专利范围第4项之程序,其特征为该等凹穴系藉由浮花压花制法在该金属箔上形成。6.如申请专利范围第3项之程序,其特征为该锚定孔具有凹穴。图式简单说明:图1系承载一晶片载体的金属箔的一部分,图2系沿图1中线A-A的一截面,以及图3系承载多个晶片载体的金属箔条的一部分。
地址 德国