发明名称 形成多晶粒之方法及装置
摘要 此处所揭示者是一种方法与装置,其藉由利用电弧电浆蒸发的气相凝结以形成多晶粒。所揭示的方法与装置可用于自诸如过渡金属的高熔化温度、低蒸发压力材料形成多晶粒。电弧放电是由蒸发物类维持,所以,不需要电浆维持气体。蒸发可由阴极或阳极维持。可提供反应气体,以由蒸发物类形成产品。
申请公布号 TWI223677 申请公布日期 2004.11.11
申请号 TW089111458 申请日期 2000.06.13
申请人 力能转换装置公司 发明人 谭肇升;萨克那
分类号 C25B13/00;H05B6/00 主分类号 C25B13/00
代理机构 代理人 黄庆源 台北市大安区敦化南路一段二四五号八楼
主权项 1.一种藉由气相凝结以形成多晶粒之方法,包括步 骤: 提供一真空室; 提供一不可消耗的电极于真空室中; 配置一可消耗的电极于不可消耗的电极附近,可消 耗的电极包括蒸发材料; 将真空室抽至10托到100毫托之间; 产生一电位于不可消耗的电极与可消耗的电极之 间; 启动不可消耗的电极与可消耗的电极之间的电弧 放电,以形成夹自可消耗的电极之蒸发材料的离子 化蒸气,藉以提供一电弧路径;及 藉由提供电流以维持一电弧放电以蒸发可消耗的 电极,使得来自可消耗的电极之蒸气凝结,以形成 多晶粒;其中该可消耗的电极是阴极。 2.如申请专利范围第1项之方法,又包括提供一反应 气体至真空室的步骤,所提供的反应气体会与被蒸 发的材料反应,以形成化学化合物。 3.如申请专利范围第2项之方法,其中反应气体是氧 。 4.如申请专利范围第1项之方法,其中真空室压力在 蒸发期间受到控制。 5.如申请专利范围第1项之方法,又包括步骤: 将真空室抽至低于约10-5托; 藉由提供钝气而将真空室压力增加至10托与100毫 托之间。 6.如申请专利范围第1项之方法,其中电弧放电藉由 使可消耗的电极与不可消耗的电极接触而启动。 7.如申请专利范围第1项之方法,其中不可消耗的电 极被冷却。 8.如申请专利范围第1项之方法,其中蒸发材料是自 铁、钼、镍、钨与锆组成的群组中选出。 9.一种藉由气相凝结、以利用电弧蒸发形成多晶 粒之装置,其包括: 一真空室; 用于将真空室抽至10托到100毫托之间的压力之机 具; 一配置于真空室内之不可消耗的电极; 一配置于不可消耗的电极附近之可消耗的电极,其 包括蒸发材料; 一电源,其具有一正端子与一负端子,正端子连接 至不可消耗的电极或可消耗的电极之一,负端子连 接至不可消耗的电极或可消耗的电极之另一者; 机具,其用于启动不可消耗的电极与可消耗的电极 之间的电弧放电,以形成来自可消耗的电极之蒸发 材料的离子化蒸气,藉以提供一电弧路径;及 机具,其用于藉由一维持的电弧放电而不需要电弧 维持气体,以蒸发可消耗的电极,使得来自可消耗 的电极之蒸气凝结,以形成多晶粒;其中该可消耗 的电极是阴极。 10.如申请专利范围第9项之装置,又包括一气体入 口歧管。 11.如申请专利范围第10项之装置,又包括压力管理 机具,以控制真空室压力。 12.如申请专利范围第9项之装置,又包括不可消耗 的电极冷却机具。 13.如申请专利范围第9项之装置,其中电弧放电藉 由使可消耗的电极与不可消耗的电极接触而启动 。 14.如申请专利范围第9项之装置,其中不可消耗的 电极被冷却。 15.如申请专利范围第9项之装置,其中该蒸发材料 是过渡金属。 16.如申请专利范围第15项之装置,其中该蒸发材料 是自铁、钼、镍、钨与锆组成的群组中选出。 图式简单说明: 图1是依据本发明之原则的装置之一实施例示意剖 视图; 图2绘示依据本发明之原则的不可消耗的电极; 图3绘示依据本发明之原则的可消耗的电极; 图4是多晶镁粒的SEM显微图,多晶镁粒是由在5托压 力的电弧电浆气体电浆凝结所制备; 图5是氧化镁(标示为"A")与二氧化锆(标示为"B")的x 光绕射图案之代表图。
地址 美国