| 主权项 |
1.一种多指状电晶体,包括: 复数个并列的电晶体,其中每一电晶体包括: 一闸介电层与一闸极,位于一基底上; 一源/汲极区,位于该闸极两侧之该基底中;以及 一漂移区,位于该源/汲极区外围之该基底中,并分 隔该源/汲极区与该闸极下方之一通道区, 其中各漂移区自源/汲极区侧边延伸之宽度,系由 该多指状电晶体之边缘部分朝中间部分递增。 2.如申请专利范围第1项所述之多指状电晶体,其系 在该些电晶体之排列方向上分为2m+1个区段,其中m 为正整数,且最边缘区段的漂移区延伸宽度最小, 而朝中间区段逐段递增。 3.如申请专利范围第2项所述之多指状电晶体,其中 m为1或2。 4.如申请专利范围第2项所述之多指状电晶体,其中 最边缘区段的漂移区延伸宽度为0。 5.如申请专利范围第1项所述之多指状电晶体,其中 任一电晶体之该漂移区系位于一隔离层下,且该电 晶体之该闸极系覆盖部分之该隔离层。 6.如申请专利范围第5项所述之多指状电晶体,其中 该隔离层包括一场氧化层。 7.如申请专利范围第1项所述之多指状电晶体,其中 两相邻电晶体共用一源极区或一汲极区。 8.如申请专利范围第7项所述之多指状电晶体,其中 该汲极区之宽度大于该源极区之宽度。 9.一种多指状电晶体,包括: 复数个并列的电晶体,其中每一电晶体包括: 一闸介电层与一闸极,其系位于一基底上,该基底 上有一电性接触区; 一源/汲极区,位于该闸极两侧之该基底中;以及 一漂移区,位于该源/汲极区外围之该基底中,并分 隔该源/汲极区与该闸极下方之一通道区, 其中各漂移区自源/汲极区侧边延伸之宽度,系随 对应之该电晶体与该电性接触区间之距离增加而 增加。 10.如申请专利范围第9项所述之多指状电晶体,其 中任一电晶体之该漂移区系位于一隔离层下,且该 电晶体之该闸极覆盖部分之该隔离层。 11.如申请专利范围第10项所述之多指状电晶体,其 中该隔离层包括一场氧化层。 12.如申请专利范围第9项所述之多指状电晶体,其 中两相邻电晶体共用一源极区或一汲极区。 13.如申请专利范围第12项所述之多指状电晶体,其 中该汲极区之宽度大于该源极区之宽度。 图式简单说明: 第1图绘示习知多指状电晶体的结构,其中图(A)显 示其上视图,图(B)/(C)则显示其B-B'/C-C'剖面图。 第2图绘示本发明较佳实施例之多指状电晶体的结 构,其中图(A)显示其上视图,图(B)/(C)则显示其B-B'/C- C'剖面图。 第3图例示本发明较佳实施例中漂移区之形成方法 ,其中图(A)为第一阶段完成后之结构的上视图,且 图(B)/(C)为其B-B'/C-C'剖面图,另图(D)/(E)为第二阶段 完成后之结构的B-B'/C-C'剖面图。 第4图绘示本发明较佳实施例中,用以定义漂移区 之罩幕开口形状的另一实例。 |
