| 发明名称 |
Verfahren zum Bereitstellen einer Dreifach-Wanne in einem epitaktisch basierten CMOS- oder BiCMOS-Prozess |
| 摘要 |
Die vorliegende Erfindung bezieht sich auf ein Verfahren zum Bereitstellen einer Dreifach-Wanne in einem epitaktisch basierten CMOS- oder BiCMOS-Prozess, wobei die Dreifach-Wanne vor der epitaktischen Abscheidung implantiert wird.
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| 申请公布号 |
DE102004014923(A1) |
申请公布日期 |
2004.11.11 |
| 申请号 |
DE200410014923 |
申请日期 |
2004.03.26 |
| 申请人 |
INFINEON TECHNOLOGIES AG |
发明人 |
ALGOTSSON, PATRIK;ANDERSSON, KARIN;NORSTROEM, HANS |
| 分类号 |
H01L21/8238;H01L21/8249;H01L27/092;(IPC1-7):H01L21/823;H01L21/824 |
主分类号 |
H01L21/8238 |
| 代理机构 |
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代理人 |
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| 主权项 |
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| 地址 |
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