| 发明名称 | 非易失性半导体存储器 | ||
| 摘要 | 非易失性半导体存储器的存储单元在隔着ONO膜(13)形成于硅衬底(1)上的硅层(3)上形成。存储单元具有在硅层(3)内形成的源区(4)和漏区(5)以及ONO膜(6)和栅电极(7)。ONO膜(6)和ONO膜(13)包括具有俘获电荷的电荷俘获部的氮化膜(6b，13b)。 | ||
| 申请公布号 | CN1467851A | 申请公布日期 | 2004.01.14 |
| 申请号 | CN03120161.X | 申请日期 | 2003.03.10 |
| 申请人 | 三菱电机株式会社 | 发明人 | 加藤宏;久家重博;野田英行;森下玄;上野修一 |
| 分类号 | H01L27/105 | 主分类号 | H01L27/105 |
| 代理机构 | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人 | 刘宗杰;叶恺东 |
| 主权项 | 1.一种非易失性半导体存储器，它包含存储单元，其特征在于，包括：半导体衬底；位于上述半导体衬底的上方，包含上述存储单元的源区、沟道区和漏区的半导体层；以及位于上述半导体衬底与上述半导体层之间的下部绝缘膜。 | ||
| 地址 | 日本东京都 | ||