| 发明名称 |
Verfahren zur Herstellung einer Siliziumkarbid-Halbleitervorrichtung |
| 摘要 |
Ein isolierender Film (2) wird auf einem Halbleitersubstrat (1) aus Siliziumkarbid ausgebildet. Eine Kontaktöffnung (3) wird in dem isolierenden Film (2) ausgebildet, um einen Teil der oberen Oberfläche des Halbleitersubstrats (1) freizulegen. Sodann wird Nickel (Ni) (4') oberhalb des Halbleitersubstrats (1) ausgebildet. Nachfolgend wird das Halbleitersubstrat (1) einer Wärmebehandlung unterworfen, wobei der Kontaktbereich des Nickels (4') sich chemisch mit dem Halbleitersubstrat (1) verbindet, so daß eine Legierungsschicht (4) aus Siliziumkarbid und Nickel gebildet wird. Das Nickel (4') auf dem isolierenden Film (2) wird durch eine Ätzflüssigkeit zur Auflösung des Nickels selektiv entfernt.
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| 申请公布号 |
DE102004019101(A1) |
申请公布日期 |
2004.11.11 |
| 申请号 |
DE20041019101 |
申请日期 |
2004.04.20 |
| 申请人 |
DENSO CORP., KARIYA |
发明人 |
ENDOU, TAKESHI;TAKEUCHI, YUUICHI |
| 分类号 |
H01L21/28;H01L;H01L21/04;H01L21/228;H01L21/336;H01L29/12;H01L29/24;H01L29/78;H01L31/0312;(IPC1-7):H01L21/228 |
主分类号 |
H01L21/28 |
| 代理机构 |
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代理人 |
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| 主权项 |
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| 地址 |
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