| 发明名称 | 外延晶片及其制造方法 | ||
| 摘要 | 本发明提供一种外延晶片，在掺杂氮的单晶硅晶片表面形成有硅外延层，其特征在于：体内具有吸气能力的氧析出物密度不低于10<SUP>8</SUP>个/cm<SUP>3</SUP>。另外，本发明是提供一种外延晶片的制造方法，其特征在于：用CZ法拉制添加了氮的单晶硅，将该单晶硅加工成晶片，以制造出单晶硅晶片，在该单晶硅晶片进行热处理，使将晶片的体内的具有吸气能力的尺寸的氧析出物密度不低于10<SUP>8</SUP>个/cm<SUP>3</SUP>，然后在上述单晶硅晶片上进行外延生长。由此，不依存于器件工序，可确实获得一种具有高吸气能力的单晶硅晶片。 | ||
| 申请公布号 | CN1545725A | 申请公布日期 | 2004.11.10 |
| 申请号 | CN02816297.8 | 申请日期 | 2002.08.21 |
| 申请人 | 信越半导体株式会社 | 发明人 | 户部敏视 |
| 分类号 | H01L21/322 | 主分类号 | H01L21/322 |
| 代理机构 | 永新专利商标代理有限公司 | 代理人 | 胡建新 |
| 主权项 | 1.一种外延晶片，其特征在于：在掺杂氮的单晶硅晶片表面形成有硅外延层，在体内具有吸气能力的尺寸的氧析出物密度不低于108个/cm3。 | ||
| 地址 | 日本东京都 | ||