| 发明名称 |
Single transistor type magnetic random access memory device and method of operating and manufacturing the same |
| 摘要 |
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| 申请公布号 |
US6815783(B2) |
申请公布日期 |
2004.11.09 |
| 申请号 |
US20020252532 |
申请日期 |
2002.09.24 |
| 申请人 |
SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD |
发明人 |
KIM DONG-WOOK;YOO IN-KYEONG;SOK JUNG-HYUN;LEE JUNE-KEY |
| 分类号 |
G11C11/15;H01L21/8246;H01L21/8247;H01L27/105;H01L27/22;H01L29/788;H01L29/792;H01L43/08;(IPC1-7):H01L29/82;H01L43/00 |
主分类号 |
G11C11/15 |
| 代理机构 |
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代理人 |
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| 主权项 |
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| 地址 |
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