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发明名称 Vertical dual gate field effect transistor
摘要
申请公布号 US2004219725(A1) 申请公布日期 2004.11.04
申请号 US20040853177 申请日期 2004.05.26
申请人 FURUKAWA TOSHIHARU;HAKEY MARK C;HOLMES STEVEN J;HORAK DAVID V;LEAS JAMES M;MA WILLIAM H-L;RABIDOUX PAUL A 发明人 FURUKAWA TOSHIHARU;HAKEY MARK C;HOLMES STEVEN J;HORAK DAVID V;LEAS JAMES M;MA WILLIAM H-L;RABIDOUX PAUL A
分类号 H01L21/336;H01L21/60;H01L21/8234;H01L27/088;H01L29/78;H01L29/786;(IPC1-7):H01L21/338;H01L29/76;H01L21/823 主分类号 H01L21/336
代理机构 代理人
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