| 发明名称 | 气化器 | ||
| 摘要 | 本发明提供一种气化器，在即使减少随半导体制造(后简称：CVD)原料一同供给的载气供给量，或者在提高溶解在溶剂中的固体CVD原料浓度来进行气化供给的情况下，也能够防止固体CVD原料析出附着在气化室喷出口周围，并可长时间稳定CVD原料，以期望浓度和流量有效地提供气化供给。气化器构成如下：在CVD原料供给部具备外管的外壁直径朝气化室喷出口渐窄的具有锥形部或曲线部的双层结构的喷出管。 | ||
| 申请公布号 | CN1542918A | 申请公布日期 | 2004.11.03 |
| 申请号 | CN200410033968.0 | 申请日期 | 2004.04.20 |
| 申请人 | 日本派欧尼株式会社 | 发明人 | 高松勇吉;浅野彰良;岩田充弘;田山竜规 |
| 分类号 | H01L21/205;H01L21/285;C23C16/00 | 主分类号 | H01L21/205 |
| 代理机构 | 北京三幸商标专利事务所 | 代理人 | 刘激扬 |
| 主权项 | 1.一种具备半导体制造(后简称：CVD)原料的气化室、用于向该气化室供给CVD原料的CVD原料供给部、气化气体排出口、以及该气化室的加热机构的气化器，其特征在于：该CVD原料供给部具备外管外壁直径朝气化室喷出口渐窄的具有锥形部或曲线部的双层结构的喷出管。 | ||
| 地址 | 日本国东京都 | ||