半导体激光装置和光盘装置

摘要

本发明公开一种半导体激光装置和光盘装置，该激光装置具有大于760nm且小于800nm的振荡波长，在n型GaAs基板(101)上，顺次叠置n型第一和第二下包层(103，104)、下引导层(106)、应变InGaAsP多量子阱有源层(107)、上引导层(109)和p型上包层(110)。因为下引导层(106)由InGaP形成，所以减少了载流子从有源层中的泄漏。另外，因为上引导层(109)由AlGaAs形成，所以抑制了载流子(尤其是电子)的溢出。

主权项

1.一种半导体激光装置，包括：一GaAs基板；一被支撑在所述GaAs基板上的InGaAsP量子阱有源层，所述量子阱有源层由一个或多个阱层以及多个阻挡层交迭设置组成；一n型包层和一p型包层，其按照将所述量子阱有源层插在其间的方式设置；一第一引导层，设置在所述n型包层和所述量子阱有源层之间；和一第二引导层，设置在所述p型包层和所述量子阱有源层之间，其中所述半导体激光装置具有大于760nm并小于800nm的振荡波长，和所述第一引导层由InGaP形成。